研究方向
射频(RF)/微波(MW)器件；射频(RF)/微波(MW)集成电路；微电子/光电子器件与集成电路可靠性。
个人简介
金冬月，女，博士后，北京工业大学优秀博士论文获得者。现为银河集团9873.cσm微电子学院副教授，硕士研究生导师，北京工业大学教学名师。
教育简历
1999.09-2003.07 辽宁大学 物理系 测控技术与仪器仪表（本科）
2003.09-2006.07 辽宁大学 物理系 微电子学与固体电子学 （硕士）
2006.09-2009.07 北京工业大学 电子信息与控制工程学院 微电子学与固体电子学 （博士）
工作履历
2009.07-2015.06 北京工业大学 电子信息与控制工程学院 讲师
2015.06-至今 北京工业大学 银河集团9873.cσm 副教授
学术兼职
IET会员，国家自然科学基金委评议专家，《Solid-State Electronics》、《Superlattices and Microstructures》期刊审稿人。
课程教学
本科生教学：《射频集成电路分析与设计》、《单片机应用技术》
研究生教学：《单片微波集成电路器件与工艺技术》
科研项目
完成和在研包括国家自然科学基金、北京市自然科学基金、北京市教委项目、中国博士后基金、北京市博士后基金、企事业委托及成果转化项目等在内课题20余项。
荣誉和获奖
1、2022年荣获北京市教育教学成果奖二等奖；
2、2022年获评北京工业大学教学名师；
3、2022年入选北京工业大学研究生课程思政示范课程、教学名师和团队；
4、2022年获评北京工业大学优秀硕士学位论文指导教师；
5、2019年荣获全国大学生集成电路创新创业大赛华北赛区决赛优秀指导教师奖；
6、2018年荣获全国高校电子信息类专业青年教师授课竞赛预赛华北赛区三等奖；
7、2015年荣获北京高校青年教师教学基本功比赛理工类二等奖、最佳教案奖；
8、2015年入选北京工业大学优秀青年主讲教师；
9、2014年获评北京工业大学校级特优本科学位论文指导教师；
10、2011年获评北京大学生集成电路设计大赛优秀指导教师。
代表性研究成果
荣获中国电子学会电子信息科学技术奖1项、带领学生先后3次荣获IEEE举办的国际会议“Best Student Paper Award”（ICMMT2008、ICSICT2008、ASICON2015），在《IEEE Transaction on Electron Devices》、《Solid-State Electronics》、《Microelectronics Reliability》、《Chinese Physics B》、《物理学报》、《Chinese Journal of Semiconductor》等国内外学术刊物和国际会议上发表SCI、EI检索论文50余篇，授权国家发明专利和软件著作权20余项。
主要论文论著
[1] Jin D.Y., Zhang W.R., et al. Thermal Design of VCSEL Arrays for Optical Output Power Improvement. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 69(7), pp 3761-3767, 2022（SCI）
[2] Jin D.Y., Zhang W.R., et al. Process deviation based electrical model of spin transfer torque assisted voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction and its application. Acta Phys. Sin. 71(10), pp 107501, 2022（SCI，三区）
[3] Jin D.Y., Zhang W.R., et al. Process deviation based electrical model of voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction and its application in read/write circuits. Acta Phys. Sin.. 69(19), 198502, 2020（SCI，三区）
[4] Jin D.Y., Zhang W.R., et al. Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design of microwave power HBTs with two-dimensional array layout. Chinese Physics B. 28(9), pp 098502, 2019（SCI，三区）
[5] Lu D.(学生), Jin D.Y., Zhang W.R. et al. Novel Microwave Power SiGe HBT with High Thermal Stability over a Wide Temperature Range. Acta Physica Sinica. 62(10), pp 104401, 2013（SCI，三区）
[6] Jin D.Y., Zhang W.R. et al. Designing power heterojunction bipolar transistors with non-uniform emitter finger lengths to achieve high thermal stability. Chinese Physics B. 20(7), pp 074401, 2011（SCI，三区）
[7] Jin D.Y., Zhang W.R. et al. Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multi-finger power heterojunction bipolar transistors. Chinese Physics B. 20(6), pp 064401, 2011（SCI，三区）
[8] Jin D.Y., Zhang W.R. et al. Structure optimization of multi-finger power SiGe HBTs for thermal stability improvement. Microelectronics Reliability. 49(4), pp 382-386, 2009（SCI，四区）
[9] Jin D.Y., Zhang W.R. et al. Improved thermal stability in SiGe HBTs by emitter layout. Proccedings of 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology. Beijing, China, Oct.20-23, 2008.（EI，Best Student Paper Award）
[10] Wang X. Jin D. Y. et al. Novel superjunction collector design of power SiGe HBTs for high fT x BVceo x β product. Proceedings of 11th IEEE International Conference on ASIC. Chengdu, China, Nov. 3-6, 2015.（EI，Excellent Student Paper Certificate of Honor）
