研究方向

功率半导体器件与功率集成电路

个人简介

1988年本科毕业，从事大学物理与实验相关教学工作11年。自1999年9月攻读研究生起，开启功率半导体器件与功率集成电路领域相关科研工作，涉及硅基静电感应器件、（Si基、SiC基、GaN基、Ga₂O₃基）快恢复二极管、（Si基和SiC基）功率MOSFET、硅基IGBT、功率GaN HEMT等器件。做为项目负责人主持包括国基金项目等在内的各类项数七项，做为核心骨干成员参与含国家重点研发计划在内的各类项目三十余项。发表论文和专利近百篇/项，其中做为第一作者或者教师第一作者发表论文、申报专利四十余篇/项。

教育简历

1988年兰州大学物理系理论物理专业本科毕业，获学士学位

2002年兰州大学物理学院凝聚态物理 硕士研究生毕业，获理学硕士学位

2005年兰州大学物理学院微电子学与固体物理学 博士研究生毕业，获工学博士学位

工作履历

1988年6月——1999年8月 兰州交通大学基础课部从事大学物理及实验相关教学工作

2005年8月——2016年12月，北京工业大学电控学院从事微电子技术相关教学与科研工作

2017年1月——至今，银河集团9873.cσm从事微电子技术相关教学与科研工作

课程教学

本科生教学：微电子器件仿真与设计

研究生教学：功率集成电路，半导体器件设计

科研项目

做为项目负责人主持的科研项目：

集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术研究

1200V SiC MOSFET、SiC二极管产品设计、制造技术开发

600V系列IGBT芯片开发

大功率MOSFET设计制造技术

SiC MOSFET封装研究

大功率MOSFET器件研发

局域高浓度电活性铂汲取的研究

荣誉和获奖

2016年获北京市科学技术三等奖

代表性研究成果

教育部科技发展中心鉴定项目一项：宇航/高性能快恢复二极管关键技术及应用

主要论文论著

[1] Analysis on the Rapid Recovery of Irradiated VDMOSFETs by the Positive High Electric Field Stress

[2] Impact of Different Gate Biases on Irradiation and Annealing Responses of SiC MOSFETs

[3] Radiation and annealing effects of SiC MOSFETs at high voltage gate bias

[4] Effect of P-Type island on SEE failure in n-MOSFET

[5] Degradation Characteristics of Enhancement-Mode Gallium Nitride Cascoded FETs under Different DC Voltages

[6] A simulation study on single-event Bornout in power Normally-off AlGaN/GaN HEMT

[7] Short-circuit Failure Mechanism of SiC Double-trench MOSFET

[8] Electrical Parameters Degradation of E-mode GaN under Repeated Short-Circuit Impacts

[9] 3D Simulation Study of Single Event Sensitivity for 200V Planar Gate Power MOSFET

[10] Investigation of Anti-SEB Capability of 160 v Power MOSFET Device with Multiple Buffer Layer