研究方向

半导体光电子学，MOCVD材料外延，半导体器件模拟

个人简介

李建军，教授，光电子技术教育部重点实验室（北京工业大学）常务副主任，科技部重点研发计划会议评审专家，教育部研究生教育评估专家，北京市科技专家库专家。长期从事大功率半导体激光器、高亮度发光二极管、共振腔发光二极管及垂直腔面发射激光器等光电子器件的结构设计、MOCVD材料外延生长、器件制备及理论模拟分析。获北京市2010年科学技术一等奖。被授予“北京市中青年骨干教师”称号，获得“北京市优秀人才专项经费”资助。以核心骨干参加的“新型高性能发光二极管材料与器件”项目已成功实施产业化，并累计承担或参加了20余项国家及省部级项目，申请发明专利10余项，在国内外学术刊物上发表论文140余篇。

教育简历

2001年于北京工业大学微电子学与固体电子学专业获博士学位

工作履历

2001年-至今 银河集团9873.cσm

1991年-1998年 大连理工大学物理系

学术兼职

全国研究生教育评估监测专家

课程教学

本科生教学：固体物理学，新生研讨课

研究生教学：半导体光电子学，半导体器件模拟及计算方法

科研项目

1.微图形RCLED芯片研发

2.面向激光测距的隧道带间级联高功率半导体激光器研究

3.新型半导体工艺设备反应腔气流场模拟与设计

荣誉和获奖

1.2011年，北京市科学技术一等奖，“新型高性能发光二极管材料与器件”。

2.2005年，教育部科技成果，“高效多有源区耦合大光腔半导体激光器”。

3.2015年，第十五届全国多媒体课件大赛高教理组二等奖。

4.2009年，北市市高校第二届多媒体教育软件大奖赛优秀奖。

5.2006年，北京市属市管高等学校中青年骨干教师。

代表性研究成果

1.高亮度红光LED已成功实现产业化技术转移。基于薄层GaP、电流阻挡层和复合DBR技术，研制高亮度红光LED以600万美元实现技术转让，获北京市2010年科学技术一等奖。

2.研制的980nm 大功率半导体激光器性能指标达到世界先进水平。基于非对称大光腔波导结构和MOCVD精细外延技术的掌握，研制的单管980nm半导体激光器输出光功率达到23.6W，器件性指标达到世界先进水平。

3.研制的低电流高亮度红光RCLED达到国际先进水平。基于共振腔结构、精细外延技术及芯片制备工艺，研制的红光RCLED具有高效率、节能省电的优点，器件在低于1mA的电流下即可发光。芯片在高分辨率显示屏及军用瞄准镜等方面具有良好的应用前景。经国内知名企业试用比对，器件性能指标优于主流的国外产品。

主要论文论著

[1] 面向微显示的小电流655 nm mirco-RCLED.光学学报，2020，40(15): 1526002（封底论文）

[2] 近800 nm波长张应变GaAsP/AlGaAs量子阱激光器有源区的设计. 物理学报，2018，67( 6):067801

[3] 非对称超大光腔980nm大功率半导体激光器.中国激光，2013,40(11): 1102011