研究方向
1. 多维度光场信息探测器技术研究
2. 智能光电感知技术研究
个人简介
邓文杰,博士,2022年6月获北京工业大学博士学位,随后进入银河集团9873.cσm电子科学与技术(微电子)系任教。研究兴趣聚焦在多维度光场信息探测器技术研究、智能光电感知技术研究。围绕器件中光子电子行为操控及探测机制创新、器件响应编码/解码机制等关键科学问题,实现了光谱、偏振、强度、空间特征分布等多维光场信息的智能化探测。近五年,发表SCI论文27篇,其中以第一作者在Nat. Commun., Adv. Mater., Small, APL, IEEE Sensors J.等期刊发表9篇;以共同第一作者在IEEE Trans. Electron. Dev.等期刊发表5篇,申请中国专利5项,新加坡专利1项。入选“中国科协2020年优秀中外青年交流计划”(全国97人),获“中国电子教育学会2022年度优秀博士学位论文(优秀奖)”。
教育简历
2016.09-2022.07 北京工业大学 博士研究生
2012.09-2016.07 成都理工大学 本科
工作履历
2022.11-今 北京工业大学 师资博士后
2021.08-2022.08 新加坡南洋理工大学 学术访问
科研项目
北京市博士后科研创新项目,2023.05-2024.10
荣誉和获奖
1.中国电子教育学会2022年度优秀博士学位论文(优秀奖)
2.中国科协2020年优秀中外青年交流计划(全国97人)
3.北京工业大学优秀博士学位论文
4.博士研究生国家奖学金
5.北京工业大学博士研究生创新奖学金
代表性研究成果
[1] Electrically Tunable Two-Dimensional Heterojunctions for Miniaturized Near-Infrared Spectrometers. Nature Communications, 13, 4627 (2022).
[2] Switchable Unipolar-Barrier Van der Waals Heterostructures with Natural Anisotropy for Full Linear Polarimetry Detection. Advanced Materials, 34, 2203766 (2022).
[3] High-Performance Photodiode Based on Atomically Thin WSe2/MoS2 Nanoscroll Integration. Small, 15, 1901544 (2019). (Back Cover)
[4] Ultra-broadband SnSe-based Photothermoelectric Detector for Mid-Infrared Gas Spectroscopy. Applied Physics Letters. 121, 112105 (2022). (Editor’s pick)
[5] Strain Effect Enhanced Ultrasensitive MoS2 Nanoscroll Avalanche Photodetector. The Journal of Physical Chemistry Letters, 11, 4490 (2020). (Inside Cover)
[6] Spectral Discrimination Sensors Based on Nanomaterials and Nanostructures: A Review. IEEE Sensors Journal, 21, 4044 (2021).
[7] Enhanced photodetection performance in graphene-assisted tunneling photodetector. IEEE Transactions on Electron Devices, 68, 1702 (2021).
[8] CMOS-compatible retinomorphic Si photodetector for motion detection. Science China Information Sciences, 66, 162401 (2023).
[9] Field enhanced in-plane homostructure in a pure MoSe2 phototransistor for the efficient separation of photo-excited carriers. Journal of Materials Chemistry C, 7, 1182-1187 (2019). (Back Cover)
[10] High Detectivity from a Lateral Graphene–MoS2 Schottky Photodetector Grown by Chemical Vapor Deposition. Advanced Electronic Materials, 4, 1800069 (2018). (Inside Front Cover)